Przemysłowy chemiczny środek czyszczący o niskiej zawartości piany / Detergent silikonowy w plasterkach 1,01-1,25

Nisko pieniący się przemysłowy chemiczny środek czyszczący / detergent w plasterkach krzemu 1.01–1.25

Wprowadzenie do chemicznego czyszczenia przemysłowego

Czystość powierzchni płytek jest niezbędnym warunkiem udanej produkcji obwodów krzemowych VLSI i ULSI. Chemia czyszczenia wafli pozostała zasadniczo niezmieniona w ciągu ostatnich 25 lat i opiera się na gorących alkalicznych i kwaśnych roztworach nadtlenku wodoru, proces znany jako „RCA Standard Clean”. Jest to nadal podstawowa metoda stosowana w branży. To, co się zmieniło, to jego wdrożenie w zoptymalizowanym sprzęcie: od prostego zanurzenia do natryskiwania odśrodkowego, technik megadźwiękowych i przetwarzania w zamkniętym systemie, które umożliwiają jednoczesne usuwanie zarówno filmów zanieczyszczeń, jak i cząstek. Badane są ulepszenia w suszeniu wafli poprzez zastosowanie pary izopropanolu lub „powolne wyciąganie” z gorącej dejonizowanej wody. Testowanych jest także kilka alternatywnych metod czyszczenia, w tym roztwory choliny, chemiczne trawienie par oraz obróbka UV / ozonem.

Pierwszy krok: czyszczenie rozpuszczalnikiem

Rozpuszczalniki stosuje się do skutecznego usuwania olejów i pozostałości organicznych z powierzchni płytek krzemowych. Podczas gdy rozpuszczalnik usuwa zanieczyszczenia, pozostawiają one również własne pozostałości na powierzchni płytki. Z tego powodu stosuje się metodę dwóch rozpuszczalników, aby zapewnić, że wafel jest tak czysty, jak to możliwe.

Drugi krok: RCA-1 Clean

Wszelkie pozostałości pozostawione z rozpuszczalnika usuwa się za pomocą RCA Clean. RCA clean utlenia krzem, zapewniając cienką warstwę ochronną tlenku na powierzchni płytki.

Trzeci etap: zanurzenie w kwasie fluorowodorowym

Ostatnim etapem jest zanurzenie w kwasie fluorowodorowym. Kąpiel HF służy do usuwania dwutlenku krzemu z powierzchni płytki krzemowej. HF jest bardzo niebezpieczną substancją chemiczną, dlatego ważne jest, aby wykonać ten krok, nosząc wyposażenie ochronne, takie jak ciężkie rękawiczki i okulary.

Przemysłowe czyszczenie chemiczne Parametr techniczny

Instrukcje czyszczenia chemikaliów przemysłowych

1) wlać czystą wodę do zbiornika czyszczącego do trzech czwartych, następnie dodać środek w stężeniu 3% -5%, dodać wodę do poziomu roboczego, na koniec podgrzać roztwór kąpieli do temperatury roboczej.

2) trzeba całkowicie zmienić roztwór kąpieli po odtłuszczeniu pewnej ilości plastra krzemu.

3) skrócić czas ekspozycji w powietrzu, aby uniknąć utlenienia.

4) temperatura pracy 50-65 stopni, czas usuwania: 2-5 minut.

Notatki

1) pasek słoneczny nie może dotykać wody, musi zanurzyć się w soli lub okresie odtłuszczania, jeśli nie można go wyczyścić na czas.

2) trzeba zlikwidować pasek solarny na czas, gdy tylko rozpocznie się proces odtłuszczania, aby uniknąć wyschnięcia na powietrzu.

3) utrzymuj pasek solarny mokry podczas odtłuszczania, aby uniknąć wysuszenia na powietrzu.

4) aby uniknąć fragmentu, należy wyłączyć przełącznik pęcherzykowy zbiornika nr 1 i nr 2 podczas odtłuszczania ultradźwiękowego, a następnie włączyć przełącznik po ustaleniu.

5) trzeba wymienić zbiornik nr 5.6 i 7 po jednym cyklu odtłuszczania.

6) plasterka krzemu nie można dotknąć. Pracownicy muszą pracować w rękawiczkach, aby uniknąć odcisku palca.

7) w celu uzyskania luzu należy spryskać plasterek krzemu co najmniej 30 minut przed odśluzowaniem.

6. Dodatki

1) opakowanie: 20 kg / karton (2 kg / butelka), 25 kg / plastikowa beczka, 1000 kg / beczka

2) czas ważności: jeden rok